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基于dream3d的ebsd模型重建與黃umat的FCC多晶簡(jiǎn)單拉伸案例實(shí)操二1，使用dream3d軟件完成ebsd模型的幾何重建2，賦予相應(yīng)的材料參數(shù)（基于腳本完成材料的批量賦值）3，施加相應(yīng)的邊界條件（X0方向完全固定，X1方向施加x方向20%的工程應(yīng)變）4，結(jié)果與后處理5, 不包含用于生成模型的dream3d管道！！！！！！！！！！！！！！！！！！

基于dream 3d的ebsd模型重建案例實(shí)操包含用于生成模型的dream3d管道，可以直接生成abaqus的晶體塑性模型，提供原始文件！！！！！！！！！！！！！！！！！！

晶體塑性：構(gòu)建Dream3D pipeline用于將EBSD模型制作成Abaqus可執(zhí)行文件案例實(shí)操用于生成模型的Dream3D pipeline文件，只需要你設(shè)置EBSD數(shù)據(jù)的路徑和導(dǎo)出路徑即可，可以直接生成abaqus的晶體塑性模型，提供原始文件！

? 基于Prisms晶體塑性軟件FCC材料拉伸壓縮軋制的織構(gòu)演化 案例實(shí)操 1，基于dream3d管道生成長(zhǎng)寬高為32*32*32的多晶模型，共包含322個(gè)晶粒 2，對(duì)于fcc，bcc材料分別施加工程應(yīng)變?yōu)?0%的拉伸和壓縮載荷 3，得到材料的應(yīng)力應(yīng)變曲線(xiàn)和變形后的取向分布情況 材料的初始取向分布 初始的晶體幾何模型 拉伸變形后材料的等效應(yīng)力分情況

平面（厚度方向一層單元）（2）ebsd沿著厚度Z方向進(jìn)行伸長(zhǎng)（多層單元柱狀晶）（3）隨機(jī)擠壓生合成的三維虛擬RVE（4）根據(jù)FIB后的的三維真實(shí)的晶體模型在簡(jiǎn)單拉伸過(guò)程中的差異，為不同目的的晶體的建模提供了良好的指導(dǎo)作者的研究思路第一步：根據(jù)實(shí)驗(yàn)獲得二維的ebsd和三維的分層ebsd，根據(jù)結(jié)果，使用dream 3d軟件進(jìn)行模型重構(gòu),并施加簡(jiǎn)單拉伸的變形條件

?基于dream3d的prisms軟件的簡(jiǎn)單案例 案例實(shí)操fcc的簡(jiǎn)單拉伸模擬 1，使用dream3d軟件生成幾何文件grainID.txt和材料取向文件orientation.txt 2，導(dǎo)入虛擬機(jī)中與prisms軟件做計(jì)算 3，設(shè)置簡(jiǎn)單拉伸的邊界條件Z0固定三個(gè)方向的自由度，Z1面施加5的工程應(yīng)變 4，結(jié)果與后處理 基于dream幾何模型建立

然而，為了準(zhǔn)確地說(shuō)明體積全像的特性，除了考慮繞射光線(xiàn)的傳播方向外，還必須考慮繞射效率、材料收縮或折射率變化等因素。考慮繞射效率使用戶(hù)能夠進(jìn)行圖像模擬和綜合優(yōu)化等高級(jí)分析。表面反射光柵與體積全像光柵的比較在介紹這個(gè)模型之前，我們先簡(jiǎn)單解釋一下表面反射光柵（SRG）和體積全像光柵（VHG）的區(qū)別。

其次，模擬了高分辨率電子背散射衍射（HR-EBSD）實(shí)驗(yàn)的二維（單體素厚）重建，提取并比較了兩個(gè)晶粒的組合，以確定實(shí)驗(yàn)中的殘余彈性應(yīng)力與所提出的模型預(yù)測(cè)的殘余彈性力的比較情況。

如下圖所示原位的EBSD拉伸實(shí)驗(yàn)結(jié)果示意圖作者數(shù)值研究使用的本構(gòu)模型流動(dòng)方程（熱激活）：硬化模型（位錯(cuò)理論）：其中SSD的演化為：gnd的計(jì)算：基于L2范數(shù)最小化計(jì)算得到唯一解材料參數(shù)為：數(shù)值模型與實(shí)驗(yàn)結(jié)果為：研究得到的結(jié)論為：（1）晶界遷移顯著緩解了孔隙周?chē)膽?yīng)力集中

（5）當(dāng)使用MAXPS方法時(shí)，通常觀察到最小的數(shù)值不穩(wěn)定性，因?yàn)楫?dāng)裂紋穿過(guò)晶界時(shí)，多晶體模型中的方向沒(méi)有發(fā)生快速變化（6）晶體各向異性顯著影響裂紋的形核和擴(kuò)展過(guò)程。結(jié)果表明，甚至裂紋成核位置也隨晶體取向的變化而變化。

.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無(wú)法描述尺寸效應(yīng)而不足，較小晶粒尺寸的強(qiáng)化效應(yīng)是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分?jǐn)?shù)較高。文獻(xiàn)中有幾種基于位錯(cuò)機(jī)制的解釋?zhuān)缇Ы缜耙苿?dòng)位錯(cuò)的堆積，導(dǎo)致應(yīng)力集中，從而增加晶界附近的滑移阻力或應(yīng)變梯度，從而產(chǎn)生額外的位錯(cuò)密度增量，從而增加滑移阻力（Evers等人，2002）。

? 基于黃umat和真實(shí)晶界形狀探究剪切滑移帶的形成和發(fā)展 案例實(shí)操 1，基于真實(shí)的ebsd模型生成晶體模型，晶界處采用自由網(wǎng)格進(jìn)行劃分，保留真實(shí)晶界形狀（可以更準(zhǔn)確預(yù)測(cè)與晶界相關(guān)的響應(yīng)，損傷，應(yīng)力集中，剪切帶的演化等） 2，基于腳本的材料參數(shù)批賦值 3，X0方向固定，施加X(jué)1方向的20%的工程應(yīng)變 4，采用二維平面應(yīng)變單元進(jìn)行分析 5，提交與后處理材料數(shù)據(jù)

在當(dāng)前案例中，嘗試使用dream3d生成的模型作為多晶幾何模型文件，并以paraview為后處理軟件展示包含50個(gè)晶粒10%拉伸變形下的結(jié)果，并入Abaqus umat子程序計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行簡(jiǎn)單對(duì)比。

第四，溫度相關(guān)彈性常數(shù)雖然在大塑性應(yīng)變階段影響有限，但會(huì)明顯影響彈性加載、初始屈服和回彈相關(guān)問(wèn)題。基于該模型思想，后續(xù)可以設(shè)計(jì)一個(gè)數(shù)值案例：建立 FCC 多晶 RVE，在不同溫度下進(jìn)行單軸拉伸或模擬，對(duì)比等溫條件、外部溫度場(chǎng)條件以及考慮熱軟化后的應(yīng)力-應(yīng)變響應(yīng)。同時(shí)輸出滑移活動(dòng)、局部應(yīng)變集中、溫度相關(guān)硬化參數(shù)和織構(gòu)演化結(jié)果，用于展示 TEV 晶體塑性模型在高溫成形模擬中的優(yōu)勢(shì)。

土體處于塑性階段時(shí)，采用各向同性硬化法則與非關(guān)聯(lián)的流動(dòng)法則反映土體的剪脹性，同時(shí)引入帽蓋屈服面反映土體的壓縮硬化，形成了雙硬化本構(gòu)模型[5]。

本構(gòu)關(guān)系子程序采用彈塑性 - 相變耦合本構(gòu)模型，總應(yīng)變可分解為：1) 彈性行為：基于線(xiàn)彈性理論，由楊氏模量（E）和泊松比（ν）描述；2) 塑性行為：采用 J2 塑性理論，通過(guò) Von Mises 屈服準(zhǔn)則判斷屈服，關(guān)聯(lián)流動(dòng)法則描述塑性流動(dòng)；3) 相變耦合：馬氏體體積分?jǐn)?shù)（tfv）通過(guò)硬化曲線(xiàn)調(diào)控屈服應(yīng)力，塑性應(yīng)變?cè)隽糠床?tfv 演化，形成 “塑性 - 相變” 雙向耦合

作者：辭殤關(guān)鍵詞：CPFEM；鈦合金；單軸拉伸；織構(gòu)極圖；孿晶晶體塑性有限元是一種結(jié)合了晶體塑性理論和有限元方法的數(shù)值模擬技術(shù)?。這種方法考慮了晶體材料的各向異性、滑移系統(tǒng)的開(kāi)動(dòng)和相互作用、以及變形過(guò)程中的硬化效應(yīng)。它主要用于分析和預(yù)測(cè)晶體材料的塑性變形行為，特別是在微觀尺度上的變形機(jī)制。

.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無(wú)法描述尺寸效應(yīng)而不足，較小晶粒尺寸的強(qiáng)化效應(yīng)是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分?jǐn)?shù)較高。文獻(xiàn)中有幾種基于位錯(cuò)機(jī)制的解釋?zhuān)缇Ы缜耙苿?dòng)位錯(cuò)的堆積，導(dǎo)致應(yīng)力集中，從而增加晶界附近的滑移阻力或應(yīng)變梯度，從而產(chǎn)生額外的位錯(cuò)密度增量，從而增加滑移阻力（Evers等人，2002）。

,vector3d.Y,vector3d.Z],'all')%繪制反極圖下圖是EVOCD平臺(tái)拉伸教程的模擬結(jié)果，與本教程的結(jié)果一致。

圖8 歐拉角、取向矩陣與彌勒指數(shù)之間的聯(lián)系 晶體塑性材料模型 晶體塑性材料模型在ABAQUS中作為用戶(hù)材料子程序(Huang’s UMAT)實(shí)現(xiàn)，取向信息通過(guò)inp文件中材料參數(shù)部分里的local system和global system實(shí)現(xiàn)賦予。